Фотомаска работает примерно как сверхточный трафарет: на ней записан рисунок будущей микросхемы, который литографическая машина переносит на кремниевую пластину. High-NA EUV позволяет создавать более мелкие элементы и плотнее размещать транзисторы, но ее рабочее поле меньше. Для крупных процессоров приходится соединять несколько участков изображения, а это усложняет производство.
Увеличенная маска должна позволить печатать большие AI- и датацентровые чипы без такого «сшивания», повысить производительность фабрик и снизить стоимость процесса. Samsung планирует использовать High-NA EUV в массовом производстве памяти DRAM с 2028 года, а полноценный переход отрасли на новый формат масок рассчитан уже на следующее десятилетие.
Пока искусственный интеллект становится все сложнее внутри компьютера, вокруг него приходится перестраивать вполне материальный мир. Иногда следующий шаг цифровой революции начинается с того, что старый трафарет становится просто слишком маленьким.
